Theo Neowin, Samsung có kế hoạch bắt đầu sản xuất hàng loạt tại cơ sở trên vào nửa cuối năm 2021 và tạo ra bộ nhớ V-NAND độc quyền của Samsung. Thông báo này được đưa ra chỉ vài tuần sau khi công ty tiết lộ công suất đúc tại một nhà máy cũng có trụ sở tại Pyeongtaek, Hàn Quốc. Dây chuyền đúc mới dự kiến sẽ hoạt động đầy đủ trong nửa cuối năm tới.
Samsung cho biết, đầu tư mới khẳng định cam kết của công ty nhằm duy trì sự lãnh đạo không thể tranh cãi trong các công nghệ bộ nhớ, ngay cả trong những thời điểm không chắc chắn. Công ty sẽ tiếp tục phục vụ thị trường với các giải pháp tối ưu hóa nhất hiện có, đồng thời đóng góp vào sự tăng trưởng của toàn ngành công nghiệp CNTT và nền kinh tế nói chung.
Cũng theo Samsung, cơ sở Pyeongtaek của hãng là một trung tâm của các công nghệ bộ nhớ thế hệ tiếp theo, bao gồm hai dây chuyền sản xuất quy mô lớn nhất thế giới. Họ hy vọng bằng cách mở rộng sản xuất NAND, nó sẽ có thể đóng vai trò chính trong việc giải quyết nhu cầu trung hạn đến dài hạn cho bộ nhớ flash NAND.
Với Internet of Things (IoT) ngày càng phát triển và nhiều công ty chuyển sang dịch vụ trí tuệ nhân tạo, nhu cầu về phần cứng của Samsung trong các trung tâm dữ liệu có thể tăng lên.
Bình luận (0)