Samsung công bố bộ nhớ HBM-PIM mới tiết kiệm điện

0 Thanh Niên Online

Đánh giá tác giả

Samsung vừa tung ra phiên bản tiếp theo của bộ nhớ HBM (High Bandwidth Memory) bằng kiến trúc xử lý trong bộ nhớ (PIM) mới nhằm bổ sung sức mạnh của trí tuệ nhân tạo (AI) vào HBM.
Kiến trúc PIM giúp bộ nhớ HBM của Samsung cải tiến nhiều về điểm số  /// Ảnh: Samsung Kiến trúc PIM giúp bộ nhớ HBM của Samsung cải tiến nhiều về điểm số - Ảnh: Samsung
Kiến trúc PIM giúp bộ nhớ HBM của Samsung cải tiến nhiều về điểm số
Ảnh: Samsung
Theo Neowin, tên gọi cho thấy PIM sẽ mang lại một số loại khả năng lập trình trong lớp bộ nhớ với sự trợ giúp của một công cụ AI mới giúp tối ưu hóa DRAM. Công cụ AI sẽ có nhiệm vụ di chuyển dữ liệu giữa CPU và bộ nhớ theo cách song song, do đó loại bỏ nút cổ chai cố hữu của kiến trúc von Neumann. Cách tiếp cận von Neumann truyền thống xem chuyển động dữ liệu qua lại tuần tự giữa CPU và bộ nhớ, điều này có xu hướng làm tăng độ trễ tổng thể và tính kém hiệu quả của quá trình xử lý.
Samsung cho biết thử nghiệm sớm việc triển khai HBM-PIM thấy hiệu suất tăng gấp đôi cùng với việc giảm điện năng hơn 70%.
Công nghệ đang trải qua các thử nghiệm xác thực bên trong các máy gia tốc AI từ các đối tác khác nhau của Samsung và gã khổng lồ Hàn Quốc dự kiến giai đoạn xác nhận sẽ hoàn tất trong nửa đầu năm nay.
Khi sẵn sàng, HBM-PIM có thể được tích hợp liền mạch vào các hệ thống mới và hiện có để sử dụng trong trung tâm dữ liệu, máy tính hiệu năng cao (HPC), ứng dụng di động dựa trên AI... mà không cần thay đổi thiết lập phần cứng và phần mềm.
Samsung sẽ chia sẻ thêm thông tin chi tiết về HBM-PIM tại Hội nghị ảo quốc tế về mạch thể rắn (ISSCC) 2021 đang diễn ra.

Bình luận

User
Gửi bình luận
Hãy là người đầu tiên đưa ra ý kiến cho bài viết này!

VIDEO ĐANG XEM NHIỀU